杨立娜
,
张红
,
狄翠霞
,
张秋宁
,
王小虎
原子核物理评论
高LET重离子引起的集簇性DNA损伤会造成细胞突变、癌变和凋亡。促进肿瘤细胞凋亡一直是治愈肿瘤的出发点,所以集簇性DNA损伤已经成为放射生物学领域研究的热点问题。由于其提取和检测方法多样,但并没有一个详细和完整的方案对集簇性DNA损伤进行透彻分析。综述了集簇性DNA损伤的特点和详细讨论了集簇性DNA损伤最新研究进展,简介了集簇性DNA损伤的研究方法,以期为集簇性DNA损伤在放疗中的研究提供一些参考。
关键词:
集簇性DNA损伤
,
辐射
,
高LET射线
,
重离子
杨立娜
,
冉俊涛
,
张红
,
刘圆圆
,
张秋宁
,
高力英
,
王小虎
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.30.02.166
文章综述了重离子束在物理学、生物学、临床治疗等方面的优势，以及在放射生物学方面的基础实验研究内容。分析总结了国内外重离子束辐照治疗肿瘤的临床研究结果。其中，日本已接受治疗了约6000名不同类型的肿瘤患者，并取得较高的局部控制率和生存率；德国在头颈部肿瘤临床治疗方面取得了巨大的成功；在兰州重离子研究装置(HIRFL)肿瘤治疗终端上，中国科学院近代物理研究所联合甘肃省肿瘤医院及兰州军区总医院对肿瘤患者的重离子治疗已进入临床试验阶段。甘肃省肿瘤医院治疗结果显示：43例患者通过影像学检查评价疗效，客观有效率(CR+PR)为71.4%，主要急性放射损伤为1-2级皮肤反应(红斑形成和脱皮)，发生率为61.9%，治疗1个月后随访结果显示重离子束(12C6+)对深部肿瘤具有较好的局部控制作用，且无严重不良反应发生。
关键词:
重离子
,
肿瘤
,
临床研究
,
局部控制率
赵婷
,
叶飞
,
贺鹏博
,
刘雄雄
,
李强
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.30.04.494
采用高传能线密度(LET)的12C6+离子束和低LET的X射线辐照人正常肝细胞系HL-7702细胞，利用微卫星不稳定性(MSI)检测来分析直接受照射细胞和通过转移培养基方式旁细胞传代八代子细胞以MSI表征的远后效应。实验结果表明，12C6+离子束诱导的远后效应较X射线的低；旁细胞的远后效应较直接受照射细胞的高；辐射引起的MSI与杂合性丢失(LOH)的发生率具有位点特异性。结果提示，重离子放射治疗较X射线放射治疗对正常组织引发的辐射风险要小，可通过对MSI高发位点的筛选来评估放疗后患者长期生存状况和二次癌症发生风险。
关键词:
重离子
,
放射治疗
,
远后效应
,
微卫星不稳定性
,
杂合性丢失
童腾
,
苏弘
,
王晓辉
,
刘杰
,
张战刚
,
刘天奇
,
古松
,
杨振雷
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.31.02.170
中国科学院近代物理研究所材料研究中心开展了对静态随机存储器(Static Random Access Memory， SRAM)单粒子效应(Single Event Effects， SEEs)的深入研究。材料中心目前拥有的两套SRAM单粒子检测系统各自具有一定的局限性，所以又提出了一种改进的SRAM SEE检测方法，并研制了相关电路。该检测系统在兰州重离子研究装置(HIRFL)提供的束流辐射终端上进行了多次实验，获得了一批实验数据。其中包括129 Xe束流辐照条件下，对65 nm SRAM单粒子翻转的研究；12 C束流辐照条件下，对65，130和150 nm商用错误纠正编码加固SRAM SEE的研究；129Xe束流辐照条件下，对普通商用SRAM单粒子锁定的研究等。实验验证了该检测系统的有效性和可靠性，为开展SRAM SEE的研究提供了重要的检测平台，并为以后开展更复杂器件SEE的研究提供了实验经验和技术基础。
关键词:
SRAM
,
单粒子效应
,
检测系统
,
重离子
吴鑫
,
华君瑞
,
丁楠
,
胡文涛
,
何进鹏
,
徐帅
,
裴海龙
,
周光明
,
王菊芳
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.31.04.533
重离子束放疗可有效杀死肿瘤细胞。研究表明：重离子束能引起癌细胞的基因异常，引发基因组不稳定性。BTG1作为一个重要的G0/G1期相关蛋白，具有强烈的抗细胞增殖能力。以碳离子辐射为手段，通过蛋白质印迹杂交技术发现：人肾癌786-O细胞中BTG1能够对重离子辐射应激产生应答。同时，荧光定量PCR结果显示碳离子辐照后，BTG1转录本与microRNA-19b的表达水平呈负相关变化。瞬时转染microRNA-19b类似物于人肾癌786-O细胞中，能够抑制由碳离子辐射引起的BTG1蛋白上调，并增加细胞的微核发生率。因此microRNA-19b能够通过抑制BTG 1的表达，增加重离子辐射诱导的细胞基因组不稳定性。
关键词:
重离子
,
BTG1
,
microRNA-19b
,
基因组不稳定性
耿超
,
李孝远
,
林熠
,
罗春华
,
谢文刚
,
邓玉良
,
李达
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.33.03.358
针对0.13μm CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)体硅外延工艺下FPGA(Field Programmable Gate Arrays)配置片反熔丝PROM(Programmable-Read-Only-Memory)进行了单粒子效应(Single Event Effects SEEs)的加速器地面模拟试验研究。以PROM的存储容量、数据类型和工艺差异性为研究变量，考核与验证其在不同种类和能量粒子入射的系列性加速器地面SEEs模拟试验。研究结果表明，相对于8 Mbits PROM而言，空片16 Mbits PROM抗辐射性能最优，且从翻转饱和截面上说，16 Mbits的PROM具备更高的可靠性，优于国外同系列的芯片类型，试验用PROM芯片的单粒子锁定阈值>99.0 MeV·cm2/mg。另一方面，研究0.13μm CMOS普通与深阱工艺技术下PROM芯片单粒子翻转效应异同性的实验数据表明，在高LET(Linear Energy Transfer)处的两者抗辐射性能并无明显变化，但是低LET处(LET翻转阈值)的加固效果较为明显，即抗辐射技术能力主要体现在LET翻转阈值的提升而非翻转截面的减小。
关键词:
重离子
,
反熔丝PROM
,
单粒子锁定
,
单粒子翻转
